- Número de pieza
- 2SA1163-GRTE85LF
- Fabricante
- Toshiba
- Categorías
- Bipolar Transistors - BJT
- RoHS
- Ficha de datos
- Descripción
- Bipolar Transistors - BJT VCEO -120V Audio IC -100mA IB 10dB
2SA1163-GRTE85LF
Las imágenes son sólo para referencia
Presupuesto
- Fabricante
- Toshiba
- Categorías
- Bipolar Transistors - BJT
- Collector- Base Voltage VCBO
- - 120 V
- Collector- Emitter Voltage VCEO Max
- - 120 V
- Collector-Emitter Saturation Voltage
- - 0.3 V
- Configuration
- Single
- Emitter- Base Voltage VEBO
- - 5 V
- Gain Bandwidth Product fT
- 100 MHz
- Maximum DC Collector Current
- - 100 mA
- Maximum Operating Temperature
- + 125 C
- Minimum Operating Temperature
- - 55 C
- Mounting Style
- SMD/SMT
- Package / Case
- SC-59-3
- Packaging
- Reel
- Pd - Power Dissipation
- 150 mW
- Series
- 2SA1163
- Transistor Polarity
- PNP
Categoría de productos
Circuit Protection
162,445 Productos
Connectors
2,428,639 Productos
Electromechanical
556,105 Productos
Embedded Solutions
41,129 Productos
Enclosures
20,894 Productos
Engineering Development Tools
42,996 Productos
Industrial Automation
558,346 Productos
LED Lighting
77,795 Productos
Optoelectronics
109,177 Productos
Passive Components
2,996,719 Productos
Power
323,117 Productos
Semiconductors
567,247 Productos
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70,154 Productos
Test & Measurement
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