- Número de pieza
- FQA10N80C-F109
- Fabricante
- onsemi / Fairchild
- Categorías
- MOSFET
- RoHS
- Ficha de datos
- Descripción
- MOSFET 800V N-Ch QFET Advance
FQA10N80C-F109
Las imágenes son sólo para referencia
Presupuesto
- Fabricante
- onsemi / Fairchild
- Categorías
- MOSFET
- Channel Mode
- Enhancement
- Id - Continuous Drain Current
- 10 A
- Maximum Operating Temperature
- + 150 C
- Minimum Operating Temperature
- - 55 C
- Mounting Style
- Through Hole
- Number of Channels
- 1 Channel
- Package / Case
- TO-3PN-3
- Packaging
- Tube
- Pd - Power Dissipation
- 240 W
- Qg - Gate Charge
- 58 nC
- Rds On - Drain-Source Resistance
- 1.1 Ohms
- Technology
- SI
- Tradename
- QFET
- Transistor Polarity
- N-Channel
- Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
- 800 V
- Vgs - Gate-Source Voltage
- - 30 V, + 30 V
- Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage
- 3 V
Categoría de productos
Circuit Protection
162,445 Productos
Connectors
2,428,639 Productos
Electromechanical
556,105 Productos
Embedded Solutions
41,129 Productos
Enclosures
20,894 Productos
Engineering Development Tools
42,996 Productos
Industrial Automation
558,346 Productos
LED Lighting
77,795 Productos
Optoelectronics
109,177 Productos
Passive Components
2,996,719 Productos
Power
323,117 Productos
Semiconductors
567,247 Productos
Sensors
70,154 Productos
Test & Measurement
23,394 Productos
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