FQA13N80-F109

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Número de pieza
FQA13N80-F109
Fabricante
onsemi / Fairchild
Categorías
MOSFET
RoHS
Ficha de datos
Descripción
MOSFET TO-3P N-CH 600V

Presupuesto

Fabricante
onsemi / Fairchild
Categorías
MOSFET
Channel Mode
Enhancement
Id - Continuous Drain Current
12.6 A
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Mounting Style
Through Hole
Number of Channels
1 Channel
Package / Case
TO-3PN-3
Packaging
Tube
Pd - Power Dissipation
300 W
Qg - Gate Charge
88 nC
Rds On - Drain-Source Resistance
750 mOhms
Technology
SI
Tradename
QFET
Transistor Polarity
N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
800 V
Vgs - Gate-Source Voltage
- 30 V, + 30 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage
3 V

últimas revisiones

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